一种半导体外腔倍频绿光激光器及制备方法

本发明涉及一种半导体外腔倍频绿光激光器及制备方法，属于半导体激光器技术领域。通过在常规1064nm半导体激光器基础上，直接将激光照射到倍频晶体上，同时利用半导体激光器腔面处和倍频晶体输出端镀膜组成谐振腔，取消了原泵浦方式获取绿光的激光器中增益介质的结构，大幅缩减了激光器的复杂程度和成本，具备批量化的条件。同时通过调节半导体激光器的波长，和倍频晶体进行匹配，能够实现波长510nm‑540nm的激光输出，能有效降低绿光波段的激光器成本。