基于高精度UV TDI的半导体芯片缺陷检测方法和系统

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基于高精度UV TDI的半导体芯片缺陷检测方法和系统
申请号:CN202510444594
申请日期:2025-04-10
公开号:CN120355682B
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明提出了一种基于高精度UV TDI的半导体芯片缺陷检测方法和系统,方法包括:通过UV TDI线阵相机在紫外光下采集半导体芯片图像数据,进行预处理后,利用图像处理算法提取缺陷特征。将这些特征与预设的缺陷数据库对比,识别缺陷类型和严重程度,并进行分类。基于这些信息,生成缺陷检测报告。本发明的UV TDI技术结合了紫外光的高敏感性和线阵相机的高分辨率、高速度。采用的图像处理算法包括边缘轮廓识别和特征提取等。特征提取阶段构建了全面的特征向量,并通过降维处理提高了效率。建立的缺陷数据库通过比对可以识别和分类缺陷。遇到未知缺陷时,可将新特征向量添加到数据库中,以提高检测的适应性和准确性。
技术关键词
半导体芯片 边缘轮廓 缺陷检测方法 缺陷特征提取 图像处理算法 识别缺陷 缺陷检测系统 子模块 数据 图像采集模块 像素点 表达式 物体 对比度 统计特征 纹理特征 图像增强 紫外光
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