一种基于垂直增益腔的硅基外腔激光器

本发明公开了一种基于垂直增益腔的硅基外腔激光器，属于半导体激光器领域。包括垂直发射芯片和硅基外腔芯片，所述垂直发射芯片主要特点是光垂直于芯片表面发光，作为激光器的光学增益区，硅基外腔芯片包括耦合器、调相区、光反射器与输出区。通过光反射器进行模式选择并实现光反馈，与垂直发射芯片一起形成激光谐振腔，实现单波长工作；通过调相区调节波长相位。本发明具有大发光面特点，可以实现高功率输出，容易与硅基芯片耦合，工艺简单且具有极高工艺容差；通过硅基外腔芯片的片上集成，实现小尺寸的技术效果；通过设计高Q带通性能的光反馈机制实现激光器选模，波长覆盖范围广，达到外腔激光器的单模、窄线宽技术效果。