一种基于垂直增益腔的多波长激光器

本发明公开了一种基于垂直增益腔的多波长激光器，属于半导体激光器领域。包括垂直发射阵列芯片和硅基外腔芯片，所述垂直发射阵列芯片，主要特点是光垂直于芯片表面发光，包括至少两个垂直发射器件，作为光学垂直增益区，硅基外腔芯片包括耦合器、调相区、光反射器、波分复用器与输出区。通过光反射器进行模式选择并实现不同波长的光反馈，与垂直发射阵列芯片一起形成激光谐振腔，实现多个单波长工作；最后通过波分复用器进行合波形成多波长激光器。本发明器件集成度高、稳定性好、工艺简单、成本低廉，能够同时实现超多通道、超窄线宽、大输出光功率、大面积集成的技术效果。