一种碳化硅PIN二极管的复合终端结构及其设计方法

本发明公开了一种碳化硅PIN二极管的复合终端结构及其设计方法，复合终端结构包括器件元胞和器件终端；器件元胞包括依次设置的N+型重掺杂衬底、N‑型轻掺杂漂移层和P+型重掺杂层；器件终端位于N‑型轻掺杂漂移层中，器件终端包括两部分P+型结终端拓展区和三组P+型场限环结构，P+型结终端拓展区内设有由P+型离子注入形成的P+注入环，多个P+注入环组成P+型场限环结构，相邻的P+注入环被P+型结终端拓展区分隔，P+型结终端拓展区和P+注入环的上表面覆盖氧化层。本发明具有结构紧凑、器件面积小、生产成本低等特点，在有限芯片面积内实现更高的击穿电压、更优的工艺鲁棒性及长期可靠性，满足下一代高压功率器件的需求。