功率VDMOS器件及其制作方法

本发明公开了一种功率VDMOS器件及其制作方法，功率VDMOS器件包括VDMOS芯片和金属互联桥，所述金属互联桥包括水平段和引出段，所述引出段固定设置于水平段的一端，并从水平段的正面向外凸出；所述VDMOS芯片的背面电极金属与水平段的正面焊接固定；所述VDMOS芯片的正面电极金属上设置有第一凸点焊盘，所述引出段在凸出的端面上设置有第二凸点焊盘。本发明中，通过金属互联桥将VDMOS芯片的背面电极金属引出至其正面，解决了现有功率VDMOS器件版图布线面积大、互连线长、三维集成难度大、信号延迟时间长等技术问题；通过金属互联桥还能够快速散热VDMOS芯片内部产生的热量，解决了三维集成功率系统的热稳定性问题。