一种晶圆结构、金属层刻蚀掩模版以及晶圆背面磨片方法

本申请提供一种晶圆结构、晶圆金属层刻蚀掩模版及背面磨片方法。掩模版分区设计包括：有效区含阵列第一掩模窗口，形成芯片功能金属互联；无效区含第二掩模窗口并沿有效区延伸线排布，窗口边框构成隔离带。基于此形成的晶圆结构金属层包含：有效区阵列第一金属层单元，无效区环形第二金属层单元及其间隔离带。该设计通过消除正面台阶差，为背面研磨提供均匀应力基体，显著降低研磨翘曲；隔离带精确对准切割道，规避切割毛刺、崩边及短路风险。