摘要
本发明涉及一种偏振无关的O Band SOA的制备方法,属于芯片制备领域。所述方法,通过使用张应变量子阱和晶格匹配垒的有源区材料,来获得低偏振相关增益(<1dB)的SOA芯片。本发明制备的偏振无关的SOA芯片不仅容易制备,同时也为后续的封装提供了便捷。
技术关键词
有源区材料
电子阻挡层
芯片
波导
欧姆接触层
偏振控制器
金属沉积
覆层
掩模
增透膜
输出光
外延
电镀
光谱仪
光刻胶
层厚度
手摇
衬底
盐酸
系统为您推荐了相关专利信息
缺陷检测方法
芯片缺陷检测
专用搜索空间
知识蒸馏技术
缺陷特征提取
探头模块
光源模块
电路模块
调制光信号
单模光纤