一种降低延伸波长InGaAs探测器扩散损伤的方法

本发明公开了一种降低延伸波长InGaAs探测器扩散损伤的方法，锌原子在探测器外延材料表层进行热扩散形成PN结后，材料有源区内因晶格失配产生的位错缺陷在热应力驱动下进一步传递，引起晶格损伤增加，通过在扩散后引入周期性处理，并采用特定温度时间曲线，引起位错缺陷的演化湮灭，有效降低扩散引起的晶格损伤。本发明的有益之处在于工艺简单、所制备的延伸波长InGaAs探测器暗电流可显著降低，尤其适用于对均匀性要求更高的大面阵红外焦平面感光芯片的制备，改善焦平面的暗电流和信号响应非均匀性。