一种基于电子束测试倒装LED电学性能的方法

本申请公开了一种基于电子束测试倒装LED电学性能的方法，包括如下步骤：样品预处理：对倒装或正装的Mi cro LED芯片进行平坦化处理，制作芯片的测试线路和电极保护金属，且将所有N极连接，并在该区域角落设置一个引脚；测试装置搭建：构建包含真空单元、电子束偏转单元、测试单元和信号分析单元的测试装置；测试操作：当电子束扫描到电极保护金属时，通过调节电子束加速电压，实现对Mi cro LED芯片正向电流IF和反向漏电流IR的测试；测试后处理：测试完成后，使芯片恢复至初始状态；本申请解决了传统探针接触式测量方法存在的测试速度慢、探针寿命短、芯片易磨损等问题，同时能够测量正向电流IF和反向漏电流IR，实现高效、低成本、准确的Mi cro LED电学性能测试。