一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法

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一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法
申请号:CN202510477874
申请日期:2025-04-16
公开号:CN120373234A
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法。本发明在GaN晶体管基整流器的基础上考虑GaN晶体管输出电容的耗散功率,通过建立耗散功率和GaN晶体管输出电容之间的关系,得到整流效率和输出电容之间的关系式,在不同的输入功率下得到不同的输出阻抗,从而得到对应的输出阻抗设计空间;依据理论阻抗设计空间,使用分支传输线设计输出匹配网络和输入匹配网络。根据逆时二元性原理,在漏极和栅极之间加入相移网络来实现自同步整流器。设定整流器的射频输入信号和栅极输入信号在两个目标频率下相移,并依此完成相移网络的设计。通过基于差分进化策略的改进型多目标粒子群算法对输出匹配网络、输入匹配网络、相移网络进行优化,使得设计的整流器能在大输入功率宽动态范围内保持较高的效率,还可以提高设计的准确度和效率。
技术关键词
匹配网络 变量 氮化镓晶体管 功率放大器 粒子群算法 同步整流器 进化策略 控制拓扑结构 控制网络结构 GaN晶体管 误差 栅极 网格 电容 谐波 频率
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