一种存储芯片和存储芯片的制备方法

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一种存储芯片和存储芯片的制备方法
申请号:CN202510480789
申请日期:2025-04-16
公开号:CN120676644A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种存储芯片和存储芯片的制备方法,本发明提供的存储芯片包括:存储晶圆和控制晶圆,存储晶圆和控制晶圆堆叠且通过三维异质集成结构键合连接;存储晶圆包括第一衬底和若干存储单元,控制晶圆包括第二衬底和若干控制单元,控制单元连接存储单元,控制存储单元进行读写操作;存储晶圆包括磁阻随机存取存储器;控制晶圆包括碳纳米管晶体管、基于二维材料的晶体管中至少一种。该存储芯片具有低功耗,数据传输速度快的特点,并且控制晶圆的制备工艺便于与芯片后道工艺兼容,产品可靠性强。
技术关键词
存储芯片 碳纳米管晶体管 控制单元 磁阻随机存取存储器 晶圆 衬底 异质 传感组件 二维材料 控制存储单元 散热层 后道工艺 层叠 低功耗 数据
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