刻蚀抗残留的方法

本发明提供一种刻蚀抗残留的方法，芯片封装工艺中将钝化层直接覆盖在最顶层金属层上，在钝化层刻蚀暴露最顶层金属层后，进行预清洗步骤，预清洗步骤包括在等离子体激发条件下，向反应腔室通入第一含氧气体和第一惰性气体，进行离子轰击清洗；在等离子体激发条件下，向反应腔室通入第一还原性气体和第二惰性气体，对刻蚀表面进行还原反应处理；在等离子体激发条件下，向反应腔室通入第二还原性气体和第三惰性气体，清除残留物并净化腔体环境；将引线连接到最顶层金属层上。本发明对难挥发的刻蚀副产物引入还原气体进行还原，生成挥发性产物，在后续步骤中有效去除，同时营造更加清洁的反应腔室环境，从而为后续的反应创造有利环境。