封装结构及其形成方法

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封装结构及其形成方法
申请号:CN202411935840
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119833492A
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括:基板,包括相对分布的顶面和底面;芯片,贴装于所述基板的顶面上,所述芯片包括朝向所述基板的正面和背离所述基板的背面;散热结构,包括贴装于所述基板的顶面上的散热罩以及至少分布于所述散热罩与所述芯片的背面之间的微纳金属互联层,所述芯片位于所述散热罩与所述基板围合成的容纳腔内,所述微纳金属互联层的一端与所述散热罩连接、另一端与所述芯片的背面连接。本发明显著提高封装结构的散热性能,且简化了封装结构的制程工艺。
技术关键词
金属线 封装结构 散热罩 金属镀层表面 金属互联层 芯片 基板 散热结构 平台 还原性气氛 晶须 正面 阵列 半导体 棱柱 制程
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