一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构及其加工方法

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一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构及其加工方法
申请号:CN202510142652
申请日期:2025-02-10
公开号:CN119993923A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构,包括从上至下的封装层及基板,若干芯片贴装于基板上,封装层将芯片塑封;封装层包括第一封装层和第二封装层,第二封装层为加强封装层,其厚度小于第一封装层,其在第一封装层的上面进行第二次塑封。本发明还公开了一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构的加工方法。本发明在保证对芯片厚度、散热不产生较大影响的条件下,通过纳米压印手段在平整的EMC层上添加一小层网格状EMC层,在只增加少量封装厚度的条件下,显著提高封装强度,降低翘曲率。
技术关键词
环氧树脂模塑料 芯片封装结构 泊松效应 纳米压印方法 纳米压印模板 纳米压印设备 环氧氯丙烷 环氧树脂分子链 点胶系统 环氧乙烷 层厚度 硬化剂 二氧化硅 紫外光 基板 添加剂 聚合物 炭黑
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