基于多回路解耦的低电磁寄生参数SiC功率半导体模块

本发明属于模块寄生参数减小领域，公开了一种基于多回路解耦的低电磁寄生参数SiC功率半导体模块，所述功率模块采用一个单独的铜基板作为交流铜层叠层在DBC陶瓷基板上，下管芯片翻转后倒装焊接在下方与散热器解除的DBC基板上，将上下管芯片通过铜钼铜垫块与上方的铜基板相连接，将模块的交流输出端通过芯片和垫块悬于DBC基板之上。本发明能够几乎完全消除模块交流输出端对接地散热器的寄生电容，实现功率‑传热回路容性解耦，显著减小SiC器件高速开关下的共模电流，有效降低高频开关电路对驱动电路、控制系统的电磁干扰。同时显著减小模块的寄生电感，实现信号‑功率回路磁通空间正交解耦。