光电导阵列敏感元芯片及光电导红外探测器

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光电导阵列敏感元芯片及光电导红外探测器
申请号:CN202510484857
申请日期:2025-04-17
公开号:CN120435085A
公开日期:2025-08-05
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种光电导阵列敏感元芯片及光电导红外探测器,所述光电导阵列敏感元芯片依次包括衬底、敏感元薄膜层、氧敏层、碘敏层和钝化层;所述光电导阵列敏感元芯片的制备方法包括:基于PbSe材料采用化学浴沉积法在衬底生成敏感元薄膜层,并在PbSe材料合成中加入卤素;在敏感元薄膜层的基础上经过高温敏化工艺生成氧敏层、碘敏层和钝化层作为敏感元;采用半导体工艺,在敏感元上光刻出像元阵列图案;依次光刻正电极,绝缘层和负电极。光电导红外探测器,包括偏置电源、负载电阻、逻辑选择器和光电导阵列敏感元芯片;通过逻辑选择器进行光电导阵列敏感元芯片的选列数据读出和选行数据读出。
技术关键词
光电 红外探测器 阵列 芯片 磁控溅射方式 逻辑 半导体工艺 敏化工艺 薄膜层 高纯水 衬底 电极 光刻胶 卤素 光刻曝光 电压可调 图案 溶液
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