光刻掩模优化方法、设备、计算机存储介质及程序产品

本申请公开了一种光刻掩模优化方法、设备、计算机存储介质及程序产品，涉及半导体技术领域。该光刻掩模优化方法包括：对初始掩模版图进行边打断，得到打断后的多条边，所述多条边中包括非规则边；根据所述非规则边的水平宽度和垂直宽度，确定所述非规则边对应的n个水平分段和n个垂直分段；对所述n个水平分段和所述n个垂直分段进行组合，转换得到所述非规则边对应的规则边，以及包含所述规则边的中间掩模版图；基于所述初始掩模版图对所述中间掩模版图进行掩模优化，得到目标掩模版图。根据本申请实施例，能够有效实现对非规则版图的光刻掩模优化，从而能够有效提升整体光刻掩模优化效率及精度。