摘要
本发明涉及碳化硅晶体生长检测技术领域,具体涉及一种炉腔测温窗清洁控制方法及系统。本发明通过采集炉腔测温窗的图像,并对图像数据进行处理分析,能够准确获取测温窗的遮挡率和炉腔内工艺参数,然后通过遮挡率阈值比较算法,联锁控制炉腔内测温窗吹扫设备的启停和运行时间,可有效克服人工判断不准、不及时的问题,保障长晶过程中炉腔测温及腔内温度控制的准确性;且通过将图像处理结果应用于长晶上位控制系统,根据图像分析数据实时调整碳化硅原料配方,能够有效提升长晶质量;本发明通过自动化吹扫过程,既减少了实时吹扫对长晶气流的影响,又减少了人工手动操作,且系统整体布置安装方便,运行稳定可靠,清洁效率高,实现成本低,易于推广。
技术关键词
清洁控制方法
炉腔
上位控制系统
图像拍摄设备
PLC控制器
吹扫机构
清洁控制系统
轮廓面积
图像处理算法
图像处理系统
像素
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