多波长VCSEL芯片的封装结构、封装方法以及激光发射装置

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多波长VCSEL芯片的封装结构、封装方法以及激光发射装置
申请号:CN202510490857
申请日期:2025-04-17
公开号:CN120262155A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本申请实施例公开了多波长VCSEL芯片的封装结构、封装方法以及激光发射装置,用于光电半导体技术领域。本申请实施例中,多波长VCSEL芯片的封装结构,包括:多个不同波长的VCSEL芯片、基板、引线框架以及光学封灌胶层;多个VCSEL芯片固定于基板的第一侧面;引线框架嵌设于基板中,引线框架的焊盘设置于基板的第一侧面,多个VCSEL芯片的焊盘与引线框架的焊盘电连接;引线框架的引脚设置于基板相对于第一侧面的第二侧面,引线框架的引脚连接于外部控制电路;光学封灌胶层覆盖于基板的第一侧面上多个VCSEL芯片的表面,光学封灌胶层的透光率大于预设透光阈值;能够有效减少激光光束损耗,提高光学输出效率。
技术关键词
VCSEL芯片 引线框架 封装结构 齐纳二极管 基板 激光发射装置 封装方法 多波长 光电半导体技术 透光率 控制电路 高导热 元件 光束 尺寸 损耗
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