一种应用于纳米二氧化硅防污镀膜剂的改性装置和方法

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一种应用于纳米二氧化硅防污镀膜剂的改性装置和方法
申请号:CN202510495662
申请日期:2025-04-21
公开号:CN120348952A
公开日期:2025-07-22
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种应用于纳米二氧化硅防污镀膜剂的改性装置和方法,改性装置包括等离子体活化模块、离子束辅助沉积模块、超声波空化模块、真空吸附模块和低温固化单元;改性方法包括S1.等离子体预处理:在混合气氛下,采用Ar+束流轰击纳米二氧化硅表面;S2.原位协同接枝改性:将硅烷偶联剂KH‑570、全氟辛基三乙氧基硅烷及离子液体改性剂混合,超声分散30min后真空吸附定向成膜;S3.离子束辅助沉积导电层:在真空腔体内交替沉积ITO导电层及氟碳壳层;S4.低温固化:采用O‑束流触发氟碳键重排,UV‑LED照射并远红外加热至75℃,交联密度≥85%,制备出的纳米二氧化硅防污镀膜剂有着优异的抗静电、增透性和耐磨性,且附着力较高。
技术关键词
离子束辅助沉积 等离子体预处理 改性装置 改性方法 防污镀膜 双三氟甲磺酰亚胺盐 纳米二氧化硅表面 PID算法 吸附模块 远红外辐射加热装置 大气压介质阻挡放电 全氟辛基 LED照射 ITO导电 压电式压力传感器 综合误差 改性剂 变量 等离子体发生器
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