半金属MoTe2改性方法及基于改性半金属MoTe2的光电探测器

本发明属于光电探测技术领域，公开了一种半金属MoTe2改性方法及基于半金属MoTe2的光电探测器，将半金属MoTe2晶体平铺在3M胶带上并按压；将3M胶带反复撕开‑粘贴4‑6次；将薄膜粘贴在载玻片；将3M胶带对准薄膜并粘贴；快速撕下3M胶带；将薄膜粘贴在硅片上并加热；缓慢抬起薄膜；266nm调Q激光辐照基底上的MoTe2纳米薄晶体，获得改性的半金属MoTe2；在二氧化硅基底上制备镍/金电极，获得基底Ⅰ；将改性的MoTe2纳米薄晶体和基底Ⅰ结合，获得光电探测器。本发明的制备工艺简单，且光电性能提升显著，制备光电探测器在宽光谱范围内可实现高的响应度和灵敏度。