一种GeTe基/SiC高熵复合热电陶瓷及其制备方法

本发明提出了一种GeTe基/SiC高熵复合热电陶瓷及其制备方法，属于复合材料技术领域，用以解决材料热电性能差的问题。本发明采用高熵材料结合材料复合结构的设计提升材料的热电性能。首先通过微波水热法制备Ge1‑0.2xAg0.2xBi0.2xPb0.2xSb0.2xTe1‑ySey高熵热电纳米粉体(0.02<x≤0.15，0.1<y≤0.3)；利用震荡压力烧结法获得GeTe基/SiC高熵复合热电陶瓷。本发明制备的GeTe基/SiC高熵复合热电陶瓷较高的热电性能，最大ZT值达1.35。该方法制备的GeTe基/SiC高熵复合热电陶瓷可用于集成电路芯片的制冷，发光二极管和光探测器的制冷等领域。