具有高阈值电压的E-Mode HEMT芯片及其制造方法

本申请公开具有高阈值电压的E‑Mode HEMT芯片及其制造方法，其中E‑Mode HEMT芯片包括稳压二极管部分、芯片部分和电阻部分，其中所述芯片部分的栅极连接所述稳压二极管部分的阳极，并连接所述电阻部分的其中一端，所述芯片部分的源极连接所述电阻部分相对的另一端；其中所述芯片部分的漏极作为E‑Mode HEMT芯片的漏极，所述稳压二极管部分的阴极作为E‑Mode HEMT芯片的栅极，所述电阻部分和所述芯片部分的源极相连后引出的部分作为E‑Mode HEMT芯片的源极。本申请提供的具有高阈值电压的E‑Mode HEMT芯片及其制造方法能够有效提高GaN HEMT分离器件的阈值电压，与(cascode)共源共栅级联方式制备的GaN HEMT分离器件相比较，能够有效降低MOS管级联带来的系统稳定性差的影响，同时大幅度降低器件频率牺牲。