一种层转移异质集成方法

本申请涉及一种层转移异质集成方法，其涉及半导体工艺技术领域，其包括如下步骤：S1旋涂PMMA于分立芯片表面形成保护剂层；S2去除保护剂层的第一部位；S3旋涂PI于第二部位的表面形成保护支撑层；S4旋涂粘附剂于支撑载片正面形成粘接层；S5键合粘接层与保护支撑层；S6去除第一衬底与芯片自停止层；S7旋涂永久键合材料形成键合层；S8键合键合层与第二衬底；S9去除支撑载片、粘接层、保护支撑层、第二部位。本申请通过保护支撑层的热稳定性高于保护剂层的热稳定性，使得键合压力更加均匀传递到芯片器件层上，进而提高导致芯片器件层的键合效果。