一种优化TFT材料发光效率的方法

本发明提供一种优化TFT材料发光效率的方法，属于效率优化技术领域，包括：开启TFT器件，使用光谱仪测量TFT器件发光的光谱分布，获取光谱强度随波长的变化数据，计算出TFT器件的发光通量，且结合相应的输入电功率，确定发电效率；提取发电效率都小于设定阈值的第一电功率以及对应的第一光通量，且结合每个第一电功率测量下的测量温度以及测量湿度，得到相应发电效率的影响系数；当第一数量与所有影响系数的系数数量的当下比值大于或等于设定比值时，对环境湿度以及环境温度进行调整；否则，分析TFT器件中每个制备层的层干扰因素，并确定消除层干扰因素的改进条件，生成改进方案输出。区分是环境因素还是器件制备层干扰因素导致，从而进行精准优化。