曝光参数确定方法、光刻方法、装置及存储介质、设备

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曝光参数确定方法、光刻方法、装置及存储介质、设备
申请号:CN202510527071
申请日期:2025-04-24
公开号:CN120065648A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
一种曝光参数确定方法、光刻方法、装置及存储介质、设备。所述曝光参数确定方法包括:获取晶圆的焦距能量矩阵;利用所获取的焦距能量矩阵对所述晶圆进行曝光,得到所述焦距能量矩阵中各曝光参数组合对应的CD量测图像;将各曝光参数组合及各曝光参数组合对应的CD量测图像输入至第一机器学习模型,利用所述第一机器学习模型对所得到CD量测图像进行识别,并输出最佳曝光参数组合。采用上述方案,可以提高确定曝光参数的效率及准确性。
技术关键词
机器学习模型 参数 光刻图案 光刻方法 图像 矩阵 衬底 光刻胶层 光刻装置 晶圆 处理器 后机器 可读存储介质 存储器 电子设备 计算机 算法
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