一种mosfet用智能复合终端结构

本发明涉及半导体领域，公开了一种mosfet用智能复合终端结构，包括若干个近源沟槽以及间距为D的若干个终端沟槽，至少一个近源沟槽的一侧配置p型阱区，p型阱区至少一个肩部形成N型重掺杂源极；终端沟槽内形成多晶硅层，多晶硅层具有弧形界面，远离近源沟槽的终端沟槽的间距D大于靠近近源沟槽的终端沟槽的间距D。本发明提供的MOSFET用智能复合终端结构，通过对终端沟槽间距、多晶硅层界面结构的协同优化，实现了电场均匀分布、热管理能力提升、可靠性增强及工艺兼容性优化。