半导体封装结构及其制备方法

本申请涉及一种半导体封装结构及其制备方法，其中制备方法包括：提供初始封装结构后；采用刻蚀工艺沿第一芯片的背面刻蚀去除部分第一芯片，形成凹槽，露出通孔连接结构；第一塑封层的露出第一芯片背面的表面以及凹槽中形成第二重布线层，第二重布线层与通孔连接结构和金属柱电连接；在第二重布线层的远离第一芯片的表面形成外焊接凸起，外焊接凸起与第二重布线层电连接。本申请方法可以避免采用研磨工艺对第一芯片的背面和金属柱同时进行研磨去除部分第一芯片和金属柱，以露出通孔连接结构时带来的金属离子的扩散，提高封装结构的性能，并能节约成本，同时能更好的缓解第一芯片受到的应力。