一种无插入损耗的耗尽型氮化镓器件直驱电路

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一种无插入损耗的耗尽型氮化镓器件直驱电路
申请号:CN202510544912
申请日期:2025-04-28
公开号:CN120474535A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种无插入损耗的耗尽型氮化镓器件直驱电路,它不仅能够简化电路设计、降低系统成本,还能提高电路的可靠性和稳定性,为射频功率放大器的高效率和高功率密度发展提供新的解决方案。此外,这种直驱电路的实现将推动耗尽型氮化镓器件在5G通信、雷达、卫星通信以及未来6G通信等领域的广泛应用,为现代无线通信系统的性能提升和技术进步奠定基础。通过优化电路结构和器件特性,无插入损耗的直驱电路有望成为未来高功率射频系统中的关键技术之一,为高效率、高功率密度的射频功率放大器设计提供新的解决方案。
技术关键词
氮化镓器件 耗尽型 驱动单元 晶体管 氮化镓基功率器件 二极管 电阻 电压 驱动芯片 高功率射频系统 栅极 电容 驱动信号 简化电路设计 射频功率放大器 关断 负极
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