一种应用于高精度逐次比较模数转换器的电容失配校正方法

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一种应用于高精度逐次比较模数转换器的电容失配校正方法
申请号:CN202510549790
申请日期:2025-04-28
公开号:CN120474548A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明涉及模数转换器技术领域,具体公开一种应用于高精度逐次比较模数转换器(SAR ADC)的电容失配后台数字校正方法。针对传统校正技术中校准范围受限、收敛速度慢的问题,本发明提出一种结合分裂式(Split)ADC结构和扰动反向注入的校正方案。其方法包括:构建互补分段电容阵列并插入冗余电容,通过电容排序分组与桥接优化权重分配;利用双通道Split ADC同步采样,生成扰动信号并反向注入,结合最小均方(LMS)迭代算法动态调整电容权重;通过迭代,直至双通道输出差值为零,获得真实电容权重并输出校正结果。本发明通过扰动信号扩展非线性失配的校准范围,显著提升收敛速度,无需中断ADC正常转换流程。仿真表明,校正后有效位数(ENOB)从9.09位提升至15.75位,信噪失真比(SNDR)达96.60dB,且算法在15k采样点内完成收敛,优于传统Split ADC技术。
技术关键词
电容失配校正方法 分段电容阵列 模数转换器技术 DAC电容阵列 数字校正方法 计算误差信号 ADC结构 码字 校正技术 迭代算法 冗余 校准 通道
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