基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法

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基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法
申请号:CN202411584941
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119070824B
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种基于共模电压的逐次逼近ADC、芯片及模数转换方法。所述方法包括:DAC电容阵列;DAC电容阵列包括正向电容阵列、负向电容阵列、随机数发生器和共模电压产生电路,正向电容阵列和负向电容阵列中各电容的上极板并联,并与共模电压产生电路连接;正向电容阵列和负向电容阵列包括高位电容阵列和低位电容阵列,高位电容阵列包括若干温度计加权的高位电容,低位电容阵列包括若干二进制加权的低位电容,高位电容阵列与随机数发生器连接;高位电容和低位电容的下极板分别通过三路选通开关接入参考电压、差分输入电压或接地。采用本方法能够降低SAR ADC的功耗并减小失配影响。
技术关键词
DAC电容阵列 共模电压 模数转换方法 逻辑模块 数模转换模块 时序控制模块 选通开关 发生器 动态 缓冲器 温度计 信号 输入端 电路 芯片
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