基于PINN的直拉硅单晶生长过程V/G值软测量建模方法

本发明公开了基于PINN的直拉硅单晶生长过程V/G值软测量建模方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、构建包含晶体参考形状和热传导模型的物理模型；步骤2、设计物理信息神经网络PINN的神经网络模型，步骤3、设计PINN的损失函数，结合网络预测与实际测量值之间的差异、偏微分方程PDE和边界条件形成的物理约束进行训练，优化神经网络模型的权重；步骤4、网络训练与优化；步骤5、模型预测。本发明解决了现有技术中存在的直拉硅单晶生长过程中V/G值难以直接测量的问题。