基于NTD模型的光刻图形预测方法、装置、设备、介质

本申请公开了一种基于NTD模型的光刻图形预测方法、装置、设备、介质,方法包括：将目标晶圆对应的光阻信息、wafer信息、光罩信息和光源信息导入至第一OPC模型进行迭代计算，得到第二OPC模型，目标晶圆的表面有光阻信息对应的目标光阻；确定目标光阻的光阻蒸发量，基于光阻蒸发量和拉梅常量对第二OPC模型进行迭代计算，得到目标NTD模型；基于目标NTD模型预测目标晶圆的光刻图形。本申请将光阻蒸发量和拉梅常量作为新的模型构建参数，构建考虑光刻胶收缩效应的目标NTD模型，从而能够仿真光刻胶在负显影过程中光刻胶收缩效应后产生的形变，相较于现有的负显影光刻胶模型，有效提升光刻图形的准确性。