摘要
本发明提供了一种芯片测试方法,包括:提供待测试的芯片,芯片包括多个呈多行和多列形式存在的存储单元,每行存储单元的字线均连通,每列存储单元的位线均连通;对多个扇区依次进行擦除测试,并判断是否存在擦除测试异常的扇区;如果存在擦除测试异常的扇区,则作为异常扇区;对异常扇区包含的所有存储单元均写入“00”;对非异常扇区的所有存储单元进行擦除操作,此时,禁止异常扇区的所有存储单元进行擦除操作。本发明通过在芯片测试过程中对失效扇区禁止擦除操作,从而防止了整列存储单元中出现部分存储单元因为异常扇区的失效存储单元漏电导致写干扰而被写“00”,因此提高了芯片质量。
技术关键词
芯片测试方法
扇区
多晶硅
浮栅
侧墙
失效存储单元
栅氧化层
衬底
位线
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