超导芯片微纳加工侧壁倾角测量方法、装置、设备及介质

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超导芯片微纳加工侧壁倾角测量方法、装置、设备及介质
申请号:CN202510561371
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120313479A
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种超导芯片微纳加工侧壁倾角测量方法、装置、设备及介质,属超导芯片微纳加工技术领域。该方法借助原子力显微镜的轻敲模式,以探针在待测样品表面高频敲击并移动,捕获待测样品表面三维形貌数据,再对三维形貌数据处理分析,即可在不切割待测样品的前提下获取待测样品截面高度数据,进而分析得到样品上凹槽侧壁倾角。本发明不损坏待测样品,且可在大气环境下实施,同时三维形貌数据获取过程也可实现对大尺寸样品的精确定位测量,显著降低了操作复杂性与测试成本,并提高了测试效率。相较于现有借助扫描电子显微镜裂片观察和聚焦离子束切割观察的倾角测量方案,本发明显著降低了测试成本、提高了测试效率。
技术关键词
倾角测量方法 原子力显微镜 凹槽侧壁 芯片 轻敲模式 探针 测量点 数据 表面三维形貌 扫描电子显微镜 坐标 计算机设备 可读存储介质 处理器 曲线 载台 共振频率 速率 离子束
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