摘要
本发明涉及一种MEMS声传感器芯片,其特征在于:它包括硅衬底层(1),氧化硅结构层(2)和硅结构层(3),在硅衬底层(1)和氧化硅结构层(3)上设有腔体(7),在硅衬底层(1)底部设有与腔体(7)连通的通孔(8),在硅结构层(3)上依次设有底电极层(4)、压电层(5)和顶电极层(6),在压电层(5)上设有孔(5a)。本发明结构简单,使用方便,避免高静水压导致薄膜内向凹陷,使得压电薄膜式MEMS声传感器失效甚至损坏的问题。
技术关键词
MEMS声传感器
衬底层
氧化硅
电极
压电薄膜
腔体
芯片
硅衬底
通孔
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