一种MEMS声传感器芯片

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一种MEMS声传感器芯片
申请号:CN202510565901
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120445387A
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种MEMS声传感器芯片,其特征在于:它包括硅衬底层(1),氧化硅结构层(2)和硅结构层(3),在硅衬底层(1)和氧化硅结构层(3)上设有腔体(7),在硅衬底层(1)底部设有与腔体(7)连通的通孔(8),在硅结构层(3)上依次设有底电极层(4)、压电层(5)和顶电极层(6),在压电层(5)上设有孔(5a)。本发明结构简单,使用方便,避免高静水压导致薄膜内向凹陷,使得压电薄膜式MEMS声传感器失效甚至损坏的问题。
技术关键词
MEMS声传感器 衬底层 氧化硅 电极 压电薄膜 腔体 芯片 硅衬底 通孔
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