一维声学漫反射超表面优化排布方法、设备及存储介质

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一维声学漫反射超表面优化排布方法、设备及存储介质
申请号:CN202510567416
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120493425A
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一维声学漫反射超表面优化排布方法,包括:L1.初始化超表面单元及对应单元排列,计算其声压分布并获取散射声压分布的标准差;L2.采用MCMC退火优化实现单元排列方案的全局搜索,获取超表面单元的最优排列方案作为Q‑Learning的初始状态;L3.利用Q‑Learning强化学习进一步优化排列,使最优单元排列方案的超表面散射更均匀,获取优化后的超表面排列;L4.计算优化后超表面的散射声压,并绘制优化后声场分布极坐标图。本发明在优化初期能够全局搜索,快速收敛到较优的单元排列结构,避免陷入局部最优;并在优化后期对初步结果进行局部精调,实现漫反射散射能量在各个方向上的最大均匀性。
技术关键词
优化排布方法 超表面 离散采样点 处理器 贪心策略 计算机设备 超参数 可读存储介质 存储器 因子 误差 时序 偏差 代表 算法
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