半导体封装结构

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半导体封装结构
申请号:CN202510567969
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120319731A
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体封装结构,半导体封装结构包括引线架、第一MOS芯片和第二MOS芯片;第一MOS芯片的正面设有第一电极,第一MOS芯片的背面设有第二电极和第三电极;第一MOS芯片设置在基岛上,第一电极与基岛电连接;第二MOS芯片的正面设有第四电极,第一MOS芯片的背面设有第五电极和第六电极;第二MOS芯片叠放在第一MOS芯片上,第四电极与第二电极电连接;第一连接引脚与第二MOS芯片的第六电极电连接;第二连接引脚分别与第一MOS芯片的第三电极和第二MOS芯片的第五电极电连接,通过上下堆叠的方式对串联的第一MOS芯片和第二MOS芯片进行封装,有效减小第一MOS芯片和第二MOS芯片在半导体封装结构中的占用面积,有利于实现多MOS芯片封装的小型化。
技术关键词
半导体封装结构 电极 绝缘支撑件 电连接件 引线架 倾斜侧壁 耐高温绝缘材料 冲压工艺 芯片封装 导线 平台 正面
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