有机半导体载流子迁移率优化模型建立方法、应用、装置及介质

本发明公开一种有机半导体载流子迁移率优化模型建立方法、应用、装置及介质，涉及电子迁移率技术领域。其中建立方法包括：建立用于零场迁移率的温度依赖性的阿列纽斯型解析模型；将所述阿列纽斯型解析模型中的实际温度替换为有效温度，并在所述阿列纽斯型解析模型中加入无量纲能量比例因子和温度项，得到仿扩展模型；在所述仿扩展模型中引入弱密度依赖函数，得到有机半导体载流子迁移率优化模型。通过上述方法建立的模型通过自洽框架调和了阿列纽斯与非阿列纽斯温度依赖性间的长期对立，显著提升了无序有机半导体中载流子迁移率的预测精度。