一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路

本发明公开了一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，由三个模块构成：第一忆阻神经元模块、第二忆阻神经元模块以及突触模块；N型局部有源忆阻器是一种整体无源但局部有源忆阻器，在DC V‑I曲线中呈现N型的负微分电导特性。通过将两个忆阻神经元模块通过N型局部有源忆阻器进行耦合构成忆阻耦合神经元电路，通过调整适当的耦合忆阻器的模型参数，使得两个神经元再现Smale悖论现象及从振荡到混沌的转变，填补了现有技术使用N型局部有源忆阻器耦合忆阻神经元电路研究的空白，为基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路在神经形态计算中的应用奠定了一定的基础。