半导体芯片的制造方法

本申请涉及一种半导体芯片的制造方法。该半导体结构的制造方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括含碳衬底；所述含碳衬底的正面形成有多个半导体器件。于所述含碳衬底的正面形成阻挡薄膜；所述阻挡薄膜至少覆盖各所述半导体器件以及所述含碳衬底的正面。于所述含碳衬底背离所述半导体器件的背面进行背面金属化工艺；所述背面金属化工艺至少包括退火工艺。去除所述阻挡薄膜。本申请能够针对退火工艺中晶圆背面的碳粉析出现象，保护晶圆正面不受碳粉影响，避免晶圆正面杂质污染问题。