一种抗过电压抗电磁干扰SiC MOSFET场限环与微流道互联结构

本发明公开了一种抗过电压抗电磁干扰SiC MOSFET场限环与微流道互联结构，涉及功率半导体器件封装领域，包括由上至下依次封装的上覆铜陶瓷基板、缓冲层、SiC MOSFET芯片、下基板纳米银焊料层及下覆铜陶瓷基板；其中，SiC MOSFET芯片包括微流道芯片入口、微流道芯片出口、芯片内沟槽式场限环微流道、栅极金属、源极金属及结终端。本发明有效提升SiC MOSFET在过电压工况下的稳定性与可靠性，降低在高工作频率下的电磁干扰，使其能更好地适应各种电力电子应用场景；通过沟槽式场限环与氮化硅陶瓷基板微流道耦合封装结构，可调控在遭受雷击、操作过电压等过电压冲击时的散热效率。