仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质

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仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质
申请号:CN202510795859
申请日期:2025-02-13
公开号:CN120706353A
公开日期:2025-09-26
类型:发明专利
摘要
本公开的实施例涉及仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质。仿真模型的参数更新方法,包括:基于各个时间步和相应的蚀刻速率确定蚀刻后沟槽的底部的最终高度的仿真值;基于仿真值与目标值的比较确定与沟槽的蚀刻速率相关的参数的更新值,以使得对应于参数的更新值的仿真值与目标值的差变小。本公开的技术方案提供了高精度的仿真模型,能够精确仿真半导体工艺中的蚀刻过程。
技术关键词
参数更新方法 仿真模型 速率 蚀刻液 因子 粒子 仿真方法 设备执行动作 分段 电子设备 处理器 可读存储介质 半导体工艺 沟槽深度 密度 尺寸 指令
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