一种基于异质集成工艺的功率放大器系统及其制造方法

本发明公开了一种基于异质集成工艺的功率放大器系统及其制造方法。系统包括采用III‑V族化合物半导体工艺制造的有源管芯与采用集成无源器件IPD工艺制造的无源匹配网络/互连结构，且所述有源管芯与源匹配网络/互连结构通过先进互联工艺进行异质集成。本申请通过仅在昂贵的GaAs、GaN或其他III‑V族工艺上制造有源管芯，而将匹配网络和互连结构采用低成本的IPD工艺制造，大幅降低了整体制造成本。本发明能够大幅提高集成度。将匹配网络和互连结构集成在IPD衬底上，可以实现更高的集成度，有效减小芯片面积。