功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构

本申请涉及一种功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构，其中形成方法包括：提供第一基板，第一基板内具有多个导电结构，导电结构沿第一基板的厚度方向贯穿第一基板；提供功率芯片，将功率芯片与第一基板键合，功率芯片与导电结构耦接；在第一基板背离功率芯片的一侧表面形成隧道磁阻结构，隧道磁阻结构与导电结构耦接。本申请通过构建统一的第一基板平台，功率芯片与隧道磁阻结构在该第一基板上下两侧分层布设，结构固定，无须针对每种封装单独设计传感器布线与支撑结构，大幅提升设计通用性。