功率半导体器件及其加工方法

本发明提供了一种功率半导体器件及其加工方法，其中，功率半导体器件包括：第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构和第二电极结构间隔设置，第二电极结构包括电极主体及与电极主体连接的第一连接结构；芯片，设置在第一电极结构和电极主体之间，并与第一电极结构和电极主体均电连接；外壳组件，外壳组件包括管壳以及设置在管壳上的第二连接结构，管壳环绕设置在芯片的外周，管壳与第一电极结构连接，第二连接结构与第一连接结构连接；能量释放通道设置在第一连接结构和第二连接结构之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率半导体器件短路时，释放的能量会对管壳结构造成破坏的概率较高的问题。