一种确定硅后性能区间的方法、装置、电子设备及存储介质

本发明实施例公开一种确定硅后性能区间的方法、装置、电子设备及存储介质，涉及计算机技术领域，能够在WS测试阶段提前得到FT测试阶段更准确的功耗信息的同时，提高判断性能参数的取值区间的精度。所述方法包括：基于FT测试阶段历史功耗，对WS测试阶段的初始功耗模型进行模型参数取值优化，得到优化功耗模型；基于所述优化功耗模型，预测FT测试阶段的功耗，得到FT测试阶段预测功耗；基于所述FT测试阶段预测功耗，确定与所述FT测试阶段预测功耗相关的性能参数的取值区间。本发明适用于确定硅后性能区间。