半导体缺陷检测模型训练方法及半导体缺陷检测方法

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半导体缺陷检测模型训练方法及半导体缺陷检测方法
申请号:CN202510583714
申请日期:2025-05-07
公开号:CN120451117A
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体缺陷检测方法领域,公开半导体缺陷检测模型训练方法及半导体缺陷检测方法,获取半导体样本的外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像;将外场调制发光强度分布图像、样品光谱图像和荧光寿命图像融合,生成半导体样品的组合图像;对组合图像进行定位分割,识别得到组合图像中的缺陷区域及类别;根据缺陷检测类别和缺陷检测类别对应的类别置信度,确定候选缺陷类别;获取晶圆特征图,基于晶圆特征图确定晶圆缺陷类别;基于半导体样本对应的缺陷区域及类别标签和识别得到组合图像中的晶圆特征图和晶圆缺陷类别,进行模型训练,得到半导体缺陷检测模型,本发明的方法便于进行半导体晶圆的缺陷检测过程。
技术关键词
缺陷类别 半导体缺陷检测 模型训练方法 半导体晶圆缺陷 图像 解耦结构 样本 荧光 特征提取模块 类别属性信息 寿命 生成半导体 网络模型训练 光致发光 轴对准 注意力机制
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