一种微波组件氢效应可靠性评价方法

本发明属于电子器件可靠性分析与评估技术领域，具体公开了一种微波组件氢效应可靠性评价方法，包括：测量微波组件封装腔体内部氢浓度演化规律，拟合得到饱和氢浓度和释氢速率常数；建立微波组件各芯片在不同氢气浓度和温度下的寿命模型；基于饱和氢浓度、释氢速率常数和微波组件各芯片在不同氢气浓度和温度下的寿命模型，计算微波组件各芯片在动态氢浓度与不确定性参数共同作用下的等效寿命，进而计算微波组件氢效应可靠性指标，完成微波组件氢效应可靠性评价。本发明解决了现有技术中缺乏对微波组件中氢气释放与芯片氢中毒反应之间耦合效应的建模能力、无法准确预测长期可靠性的问题。